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Sección XVI

85.41₁

85.41 -      DIODOS, TRANSISTORES Y DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES SIMILARES; DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES FOTOSENSIBLES, INCLUIDAS LAS CÉLULAS FOTOVOLTAICAS, AUNQUE ESTÉN ENSAMBLADAS EN MÓDULOS O PANELES; DIODOS EMISORES DE LUZ; CRISTALES PIEZO­ELÉCTRICOS MONTADOS (+).

                   8541.10      -     Diodos, excepto los fotodiodos y los diodos emisores de luz.

                                      -     Transistores, excepto los fototransistores:

                   8541.21      - -         Con una capacidad de disipación inferior a 1 W.

                   8541.29      - -         Los demás.

                   8541.30      -     Tiristores, diacs y triacs, excepto los dispositivos fotosensibles.

                   8541.40      -     Dispositivos semiconductores fotosensibles, incluidas las células fotovoltaicas, aunque estén ensambladas en módulos o paneles; diodos emisores de luz.

                   8541.50      -     Los demás dispositivos semiconductores.

                   8541.60      -     Cristales piezoeléctricos montados.

                   8541.90      -     Partes.

A. - DIODOS, TRANSISTORES Y DISPOSITIVOS

SEMICONDUCTORES SIMILARES

      Los artículos de este grupo se definen en la Nota 5 A) de este capítulo.

      Se trata de dispositivos cuyo funcionamiento se basa en las propiedades electrónicas de algunas materias llamadas semiconductoras.

      Estas materias se caracterizan principalmente por la resistividad que, a temperatura ambiente, está comprendida entre la de los conductores (metales) y la de los aislantes. Consisten principalmente en ciertos minerales (por ejemplo, galena cristalina), en elementos químicos de valencia 4 (germanio, silicio, etc.), o bien, en una combinación de elementos químicos (por ejemplo, de valencia 3 y de valencia 5: arseniuro de galio, antimoniuro de indio, etc.).

      Las que consisten en un elemento químico de valencia 4 son generalmente monocristalinas. No se utilizan puras sino después de haber sido ligeramente impurificadas en una proporción expresada en partes por millón mediante una impureza determinada.

      Para un elemento de valencia 4, la impureza puede consistir en un elemento de valencia 5 (fósforo, arsénico, antimonio, etc.), o bien, en un elemento de valencia 3 (boro, aluminio, galio, indio, etc.). En el primer caso, se obtiene un semiconductor de tipo N, caracterizado por un exceso de electrones (carga negativa); en el segundo caso, un semiconductor de tipo P que se caracteriza por una falta de electrones, es decir, predominio de huecos o lagunas (de carga positiva).

      Las materias semiconductoras que proceden de la asociación de elementos químicos de valencia 3 y de elementos de valencia 5 también se impurifican.

      En cuanto a las materias semiconductoras que consisten en determinados minerales, las impu­rezas que contienen naturalmente hacen el oficio de impurificadores.

      Los dispositivos semiconductores de este grupo llevan generalmente una o varias uniones entre las materias semiconductoras de tipo P y de tipo N.