Sección XVI
84.563/571
Algunas máquinas grabadoras en seco utilizan la energía de ondas electromagnéticas de alta frecuencia en la banda de longitudes de onda entre 100 y 450 kHz. Otras funcionan en la frecuencia de 13,56 MHz y otras incluso con hiperfrecuencias de 2,45 GHz.La elección de la frecuencia de la energía aplicada puede incidir en la energía de los iones del plasma resultante. En algunos casos, los iones del plasma tienen muy poca energía dirigida. En otros casos, los iones tienen una energía dirigida mayor. En este último caso se trata de un haz de iones.
Los términos utilizados para designar determinadas formas específicas de grabado en seco son «grabado con plasma en paralelo, grabado por iones reactivos, grabado por haces iónicos realzados magnéticamente, grabado por haces iónicos y grabado por resonancia ciclotrónica o resonancia giromagnética». Estos diversos términos describen las distintas técnicas utilizadas para crear plasmas gaseosos con diferentes características específicas.
PARTES Y ACCESORIOS
Salvo lo dispuesto con carácter general respecto a la clasificación de partes (véanse las Consideraciones generales de la sección), las partes y accesorios de las máquinas herramienta de esta partida se clasifican en la partida 84.66.
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Se excluyen además de esta partida:
a) Los aparatos para la limpieza por ultrasonido (p. 84.79).
b) Las máquinas y aparatos para soldar, aunque puedan cortar (p. 85.15).
c) Las máquinas para ensayos (p. 90.24).
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Nota explicativa de subpartida
Subpartida 8456.91
Esta subpartida comprende las máquinas herramienta para grabar en seco esquemas (trozas) sobre material semiconductor conocidas comúnmente como grabadoras en seco. Las máquinas para grabar en seco utilizan varios métodos para crear el plasma gaseoso que arranca una película delgada de la oblea de material semiconductor. El proceso de grabado en seco se aplica a la oblea de material semiconductor después de haber impreso, por procedimientos litográficos, el esquema que debe ser grabado. Es un proceso anisotrópico en el que los iones siguiendo trayectorias paralelas, golpean perpendicularmente el disco. El grabado anisotrópico permite obtener una copia del esquema sobre la oblea de material semiconductor sin socavar las paredes de los canales grabados.
Estas máquinas comprenden generalmente una o varias cámaras de reacción, bombas, bombas de vacío, generadores de alta frecuencia o de microondas, el equipo de control de flujo gaseoso y los dispositivos de control del proceso. A veces incorporan mecanismos automáticos para la carga de una o varias obleas, que pueden ser tratadas simultáneamente en las cámaras de reacción.
84.57 - CENTROS DE MECANIZADO, MÁQUINAS DE PUESTO FIJO Y MÁQUINAS DE PUESTOS MÚLTIPLES, PARA TRABAJAR METAL.
8457.10 - Centros de mecanizado.
8457.20 - Máquinas de puesto fijo.
8457.30 - Máquinas de puestos múltiples.